该专利提出一种🌜🔁 3D⚒ 堆叠⚖架构：将搭载 C🐂代怀MOS 键合阵列（CBA）代怀的 NAND 闪存🇬🇵代怀。
然而，简单地将高功函数金属贴附在🥮半导体🇬🇫🇰🇪表面会代怀导致界🅱。
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该专利提出一种🌜🔁 3D⚒ 堆叠⚖架构：将搭载 C🐂代怀MOS 键合阵列（CBA）代怀的 NAND 闪存🇬🇵代怀。
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然而，简单地将高功函数金属贴附在🥮半导体🇬🇫🇰🇪表面会代怀导致界🅱。
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